R521 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R521
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Encapsulados: TO-92
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R521 datasheet
mmbr521lt1 mrf5211lt1.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR521LT1/D The RF Line PNP Silicon MMBR521LT1 High-Frequency Transistor MRF5211LT1 Designed primarily for use in the high gain, low noise small signal amplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fast switching times. High Current Gain Bandwidth Product IC = 70 mA fT
bcr521.pdf
BCR 521 NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=1k , R2=1k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 521 XVs Q62702-C2355 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base vol
bcr521.pdf
BCR521 NPN Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 1 k , R2= 1 k ) 2 3 Pb-free (RoHS compliant) package 1 Qualified according AEC Q101 C 3 R1 R 2 1 2 B E EHA07184 Type Marking Pin Configuration Package BCR521 XVs SOT23 1=B 2=E 3=C Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit 50 V Collector-emitter voltage VCEO 50 Collector-base voltage VCBO
Otros transistores... RDR005N25 , R5005CNX , R5007FNX , R5009FNJ , R5011FNJ , R5016FNJ , R5021ANJ , R520 , IRF1407 , R6002END , R6004END , R6004ENJ , R6004ENX , R6007ENJ , R6007ENX , R6009ENJ , R6009ENX .
History: MEE4298T | WMQ37N03T1 | 4N70G-TM3-T
History: MEE4298T | WMQ37N03T1 | 4N70G-TM3-T
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