R6004ENX Todos los transistores

 

R6004ENX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R6004ENX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.98 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FM
 

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R6004ENX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:760K  rohm
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R6004ENX

R6004ENX Nch 600V 4A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS600VTO-220FMRDS(on) (Max.)980mWID4A(3) PD40W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead pla

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
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R6004ENX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6004ENXFEATURESDrain Current I = 4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 980m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 7.1. Size:698K  rohm
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R6004ENX

R6004END Nch 600V 4A Power MOSFET Data SheetlOutline(2) VDSS600VCPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)0.980WID4A(1) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.

 7.2. Size:706K  rohm
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R6004ENX

R6004ENJ Nch 600V 4A Power MOSFET Data SheetlOutline(2) VDSS600VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)0.980WID4A(1) PD40W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-fr

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History: RU3040M3 | SWY12N70D | IRLR8103 | 50N06L-TF3-T | KTK919S | FS18SM-9 | WMO18N65EM

 

 
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