R6004ENX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: R6004ENX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.98 Ohm

Тип корпуса: TO-220FM

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для R6004ENX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6004ENX даташит

 ..1. Size:760K  rohm
 r6004enx.pdf pdf_icon

R6004ENX

R6004ENX Nch 600V 4A Power MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 600V TO-220FM RDS(on) (Max.) 980mW ID 4A (3) PD 40W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead pla

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 r6004enx.pdf pdf_icon

R6004ENX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6004ENX FEATURES Drain Current I = 4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 980m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos

 7.1. Size:698K  rohm
 r6004end.pdf pdf_icon

R6004ENX

R6004END Nch 600V 4A Power MOSFET Data Sheet lOutline (2) VDSS 600V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 0.980W ID 4A (1) (3) PD 20W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.

 7.2. Size:706K  rohm
 r6004enj.pdf pdf_icon

R6004ENX

R6004ENJ Nch 600V 4A Power MOSFET Data Sheet lOutline (2) VDSS 600V LPT(S) (SC-83) RDS(on) (Max.) 0.980W ID 4A (1) PD 40W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 20V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-fr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... R5011FNJ, R5016FNJ, R5021ANJ, R520, R521, R6002END, R6004END, R6004ENJ, 18N50, R6007ENJ, R6007ENX, R6009ENJ, R6009ENX, R6011ENJ, R6011ENX, R6012FNJ, R6015ENJ