R6025FNZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R6025FNZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2200 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Encapsulados: TO-3PF
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R6025FNZ datasheet
r6025fnz.pdf
R6025FNZ Nch 600V 25A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 600V TO-3PF RDS(on) (Max.) 0.18W ID 25A (1) (2) PD 150W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead p
r6025fnz1.pdf
R6025FNZ1 Nch 600V 25A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 600V TO-247 RDS(on) (Max.) 0.18W ID 25A (3) PD 150W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead pl
r6025anz.pdf
10V Drive Nch MOSFET R6025ANZ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET 5.5 TO-3PF 3.0 15.5 3.6 Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple. 2.0 5) Parallel use is easy. 2.0 3.0 0.75 Applications 0.9 (1)Gate Switching 5.45 5.45 (2)Drain (3)Souce
Otros transistores... R6020ENX , R6020ENZ , R6020ENZ1 , R6020FNJ , R6024ENJ , R6024ENX , R6024ENZ , R6024ENZ1 , IRLB3034 , R6025FNZ1 , R6030ENX , R6030ENZ , R6030ENZ1 , R6035ENZ , R6035ENZ1 , R6046ANZ1 , R6046FNZ1 .
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