R6025FNZ1 Todos los transistores

 

R6025FNZ1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6025FNZ1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO-247

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R6025FNZ1 datasheet

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R6025FNZ1

R6025FNZ1 Nch 600V 25A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 600V TO-247 RDS(on) (Max.) 0.18W ID 25A (3) PD 150W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead pl

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R6025FNZ1

R6025FNZ Nch 600V 25A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 600V TO-3PF RDS(on) (Max.) 0.18W ID 25A (1) (2) PD 150W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple. *1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead p

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R6025FNZ1

10V Drive Nch MOSFET R6025ANZ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET 5.5 TO-3PF 3.0 15.5 3.6 Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple. 2.0 5) Parallel use is easy. 2.0 3.0 0.75 Applications 0.9 (1)Gate Switching 5.45 5.45 (2)Drain (3)Souce

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