R6025FNZ1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R6025FNZ1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 85 nC
Tiempo de subida (tr): 115 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2200 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET R6025FNZ1
R6025FNZ1 Datasheet (PDF)
r6025fnz1.pdf
R6025FNZ1 Nch 600V 25A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS600VTO-247RDS(on) (Max.)0.18WID25A(3) PD150W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead pl
r6025fnz.pdf
R6025FNZ Nch 600V 25A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS600V TO-3PFRDS(on) (Max.)0.18WID25A(1) (2) PD150W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead p
r6025anz.pdf
10V Drive Nch MOSFET R6025ANZ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET 5.5TO-3PF3.015.53.6 Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits can be simple. 2.05) Parallel use is easy. 2.03.00.75 Applications0.9(1)GateSwitching 5.45 5.45(2)Drain(3)Souce
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