2SK0123 Todos los transistores

 

2SK0123 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK0123
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.002 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 80 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1500 Ohm
   Paquete / Cubierta: MINI3-G1
 

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2SK0123 PDF Specs

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2SK0123

Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK0123 (2SK123) Silicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency Unit mm For electret capacitor microphone 0.40+0.10 0.05 0.16+0.10 0.06 3 Features High mutual conductance gm Low noise voltage of NV 1 2 (0.95) (0.95) 1.9 0.1 2.90+0.20 0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 10 Parameter Symbol... See More ⇒

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