2SK0123 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK0123  📄📄 

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.002 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 80 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1500 Ohm

Encapsulados: MINI3-G1

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2SK0123 datasheet

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2SK0123

Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK0123 (2SK123) Silicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency Unit mm For electret capacitor microphone 0.40+0.10 0.05 0.16+0.10 0.06 3 Features High mutual conductance gm Low noise voltage of NV 1 2 (0.95) (0.95) 1.9 0.1 2.90+0.20 0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 10 Parameter Symbol

Otros transistores... R6046FNZC8, R6047ENZ1, R6076ENZ1, R8005ANX, R8010ANX, R9521, R9522, 2SJ455, IRF840, BSC0906NS, IPD09N03LA, IPF09N03LA, IPS09N03LA, IPU09N03LA, NTD4809NH, NTD4809NHG, SI2300A