Справочник MOSFET. 2SK0123

 

2SK0123 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK0123
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.002 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 80 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1500 Ohm
   Тип корпуса: MINI3-G1
 

 Аналог (замена) для 2SK0123

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK0123 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:41K  panasonic
 2sk0123 2sk123.pdf pdf_icon

2SK0123

Silicon Junction FETs (Small Signal)2SK0123 (2SK123)Silicon N-Channel Junction FETFor impedance conversion in low frequencyUnit: mmFor electret capacitor microphone0.40+0.100.050.16+0.100.063 Features High mutual conductance gm Low noise voltage of NV1 2(0.95) (0.95)1.90.12.90+0.200.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)10Parameter Symbol

Другие MOSFET... R6046FNZC8 , R6047ENZ1 , R6076ENZ1 , R8005ANX , R8010ANX , R9521 , R9522 , 2SJ455 , IRF840 , BSC0906NS , IPD09N03LA , IPF09N03LA , IPS09N03LA , IPU09N03LA , NTD4809NH , NTD4809NHG , SI2300A .

History: IRF621FI | STP310N10F7

 

 
Back to Top

 


 
.