Справочник MOSFET. 2SK0123

 

2SK0123 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2SK0123

Маркировка: 1H

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.002 A

Максимальная температура канала (Tj): 80 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1500 Ohm

Тип корпуса: Mini3-G1

Аналог (замена) для 2SK0123

 

 

2SK0123 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk0123 2sk123.pdf Size:41K _update-mosfet

2SK0123
2SK0123

Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK0123 (2SK123) Silicon N-Channel Junction FET For impedance conversion in low frequency Unit: mm For electret capacitor microphone 0.40+0.10 –0.05 0.16+0.10 –0.06 3 Features High mutual conductance gm Low noise voltage of NV 1 2 (0.95) (0.95) 1.9±0.1 2.90+0.20 –0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) 10˚ Parameter Symbol

Другие MOSFET... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .

 

 
Back to Top