RE1C001UN Todos los transistores

 

RE1C001UN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RE1C001UN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: EMT3F

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RE1C001UN datasheet

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RE1C001UN

RE1C001UN Nch 20V 100mA Small Signal MOSFET Data Sheet lOutline VDSS 20V EMT3F (3) RDS(on) (Max.) 3.5W ID (1) 100mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE

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RE1C001UN

RE1C001ZP Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS -20V (3) EMT3F RDS(on) (Max.) 3.8W (1) ID -100mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIO

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RE1C001UN

RE1C002UN Nch 20V 200mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS 20V EMT3F (3) RDS(on) (Max.) 1.2W (1) ID 200mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIODE

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RE1C001UN

RE1C002ZP Pch -20V -200mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS -20V (3) EMT3F RDS(on) (Max.) 1.2W (1) ID -200mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIO

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History: ZXMC3A18DN8 | ZXMN0545G4

 

 

 

 

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