RF4E070GN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RF4E070GN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0214 Ohm
Encapsulados: HUML2020L8
Búsqueda de reemplazo de RF4E070GN MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
RF4E070GN datasheet
rf4e070gn.pdf
RF4E070GN Nch 30V 7A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS 30V (5) HUML2020L8 (4) RDS(on) at 10V (Max.) 21.4mW (4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 30.0mW (3) (7) ID 7A (3) (2) PD (1) 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8). (2) Drain (6) Drain (3) Gate (7)
rf4e070bn.pdf
RF4E070BN Nch 30V 7A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS 30V (5) HUML2020L8 (4) RDS(on) at 10V (Max.) 28.6mW (4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 40.0mW (3) (7) ID 7A (3) (2) PD 2.0W (1) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8). (2) Drain (6) Drain (3) Gate (7
rf4e075at.pdf
RF4E075AT Datasheet Pch -30V -7.5A Middle Power MOSFET lOutline l HUML2020L8 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 21.7m ID 7.5A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HUML2020L8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Hal
rf4e080bn.pdf
RF4E080BN Nch 30V 8A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS 30V (5) HUML2020L8 (4) RDS(on) at 10V (Max.) 17.6mW (4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 24.6mW (3) (7) ID 8A (3) (2) PD 2.0W (1) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8). (2) Drain (6) Drain (3) Gate (
Otros transistores... RF1S540 , RF1S60P03 , RF1S640 , RF1S70N06 , RF1S9540 , RF4C050AP , RF4C100BC , RF4E070BN , 4435 , RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN , RF4E110BN , RF4E110GN , RF6E045AJ , SIS322DNT , SIS330DN .
History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV
History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики
