SIS334DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIS334DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0113 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIS334DN

SIS334DN Datasheet (PDF)

..1. Size:562K vishay
sis334dn.pdf

SiS334DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0113 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET30 5.1 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0146 at VGS = 4.5 V 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212-8APPLICATIONS Not

9.1. Size:575K vishay
sis332dn.pdf

New ProductSiS332DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.0084 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET30 8.1 nC0.0110 at VGS = 4.5 V 35g PWM Optimized 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to

9.2. Size:575K vishay
sis330dn.pdf

New ProductSiS330DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.0056 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET30 11.2 nC0.0075 at VGS = 4.5 V 35g PWM Optimized 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant t

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: