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SIS424DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIS424DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0064 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8
 

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SIS424DN Datasheet (PDF)

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SIS424DN

New ProductSiS424DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested0.0064 at VGS = 10 V 3520 9.5 nC 100 % UIS Tested0.0089 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONS DC/DC ConverterPowerPAK 1212-8 POL Notebook, System Power

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SIS424DN

SiS427EDNVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)d, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Typical ESD Performance: 2500 V (HBM)0.0106 at VGS = - 10 V - 50d Material categorization:- 30 0.0160 at VGS = - 6 V - 42.1 22.6 nCFor definitions of compliance please see 0.0213 at

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SIS424DN

SiS426DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21Definition VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0045 at VGS = 10 V 35g 100 % Rg and UIS Tested20 13.2 nC0.0058 at VGS = 4.5 V 35g Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 P

 9.3. Size:208K  vishay
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SIS424DN

SiS429DNTwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.021 at VGS = -10 V -20 e-30 15 nC Thin 0.8 mm profile0.034 at VGS = -4.5 V -18.7 Material categorization: Thin PowerPAK 1212-8 Single For definitions of compliance please

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History: IPI80N06S2-07

 

 
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