Справочник MOSFET. SIS424DN

 

SIS424DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIS424DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8

 Аналог (замена) для SIS424DN

 

 

SIS424DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  vishay
 sis424dn.pdf

SIS424DN SIS424DN

New ProductSiS424DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested0.0064 at VGS = 10 V 3520 9.5 nC 100 % UIS Tested0.0089 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONS DC/DC ConverterPowerPAK 1212-8 POL Notebook, System Power

 9.1. Size:543K  vishay
 sis427edn.pdf

SIS424DN SIS424DN

SiS427EDNVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)d, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Typical ESD Performance: 2500 V (HBM)0.0106 at VGS = - 10 V - 50d Material categorization:- 30 0.0160 at VGS = - 6 V - 42.1 22.6 nCFor definitions of compliance please see 0.0213 at

 9.2. Size:529K  vishay
 sis426dn.pdf

SIS424DN SIS424DN

SiS426DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21Definition VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0045 at VGS = 10 V 35g 100 % Rg and UIS Tested20 13.2 nC0.0058 at VGS = 4.5 V 35g Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 P

 9.3. Size:208K  vishay
 sis429dnt.pdf

SIS424DN SIS424DN

SiS429DNTwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.021 at VGS = -10 V -20 e-30 15 nC Thin 0.8 mm profile0.034 at VGS = -4.5 V -18.7 Material categorization: Thin PowerPAK 1212-8 Single For definitions of compliance please

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top