SIS429DNT Todos los transistores

 

SIS429DNT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIS429DNT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SIS429DNT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIS429DNT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  vishay
 sis429dnt.pdf pdf_icon

SIS429DNT

SiS429DNTwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.021 at VGS = -10 V -20 e-30 15 nC Thin 0.8 mm profile0.034 at VGS = -4.5 V -18.7 Material categorization: Thin PowerPAK 1212-8 Single For definitions of compliance please

 9.1. Size:543K  vishay
 sis427edn.pdf pdf_icon

SIS429DNT

SiS427EDNVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)d, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Typical ESD Performance: 2500 V (HBM)0.0106 at VGS = - 10 V - 50d Material categorization:- 30 0.0160 at VGS = - 6 V - 42.1 22.6 nCFor definitions of compliance please see 0.0213 at

 9.2. Size:529K  vishay
 sis426dn.pdf pdf_icon

SIS429DNT

SiS426DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21Definition VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0045 at VGS = 10 V 35g 100 % Rg and UIS Tested20 13.2 nC0.0058 at VGS = 4.5 V 35g Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 P

 9.3. Size:564K  vishay
 sis424dn.pdf pdf_icon

SIS429DNT

New ProductSiS424DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested0.0064 at VGS = 10 V 3520 9.5 nC 100 % UIS Tested0.0089 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONS DC/DC ConverterPowerPAK 1212-8 POL Notebook, System Power

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SIS407DN , SIS410DN , SIS412DN , SIS413DN , SIS414DN , SIS424DN , SIS426DN , SIS427EDN , 5N65 , SIS430DN , SIS434DN , SIS435DNT , SIS436DN , SIS438DN , SIS439DNT , SIS443DN , SIS444DN .

History: SI6423DQ | NTP6413ANG

 

 
Back to Top

 


 
.