SIS443DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIS443DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0117 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIS443DN

SIS443DN Datasheet (PDF)

..1. Size:550K vishay
sis443dn.pdf

SiS443DNVishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization:0.0117 at VGS = - 10 V - 35d- 40 41.5 nC For definitions of compliance please see0.0160 at VGS = - 4.5 V - 35dwww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8APPLICATIONS

9.1. Size:621K vishay
sis447dn.pdf

SiS447DNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS tested0.0071 at VGS = -10 V -18 a Material categorization:-20 0.0090 at VGS = -4.5 V -18 a 57.5 nCFor definitions of compliance please see0.0125 at VGS = -2.5 V -18 aww

9.2. Size:573K vishay
sis448dn.pdf

New ProductSiS448DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.0056 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET30 12 nC0.0075 at VGS = 4.5 V 35g PWM Optimized 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to

9.3. Size:545K vishay
sis444dn.pdf

New ProductSiS444DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARY DefinitionVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0033 at VGS = 10 V 35g 100 % Rg and UIS Tested30 33.5 nC0.0043 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC35gAPPLICATIONSPowe

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Liste

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