Справочник MOSFET. SIS443DN

 

SIS443DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIS443DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0117 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8

 Аналог (замена) для SIS443DN

 

 

SIS443DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  vishay
sis443dn.pdf

SIS443DN
SIS443DN

SiS443DNVishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization:0.0117 at VGS = - 10 V - 35d- 40 41.5 nC For definitions of compliance please see0.0160 at VGS = - 4.5 V - 35dwww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8APPLICATIONS

 9.1. Size:621K  vishay
sis447dn.pdf

SIS443DN
SIS443DN

SiS447DNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS tested0.0071 at VGS = -10 V -18 a Material categorization:-20 0.0090 at VGS = -4.5 V -18 a 57.5 nCFor definitions of compliance please see0.0125 at VGS = -2.5 V -18 aww

 9.2. Size:573K  vishay
sis448dn.pdf

SIS443DN
SIS443DN

New ProductSiS448DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.0056 at VGS = 10 V 35g TrenchFET Power MOSFET30 12 nC0.0075 at VGS = 4.5 V 35g PWM Optimized 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to

 9.3. Size:545K  vishay
sis444dn.pdf

SIS443DN
SIS443DN

New ProductSiS444DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARY DefinitionVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0033 at VGS = 10 V 35g 100 % Rg and UIS Tested30 33.5 nC0.0043 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC35gAPPLICATIONSPowe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top