SIS452DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIS452DN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 970 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00325 Ohm

Encapsulados: 1212-8

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SIS452DN datasheet

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SIS452DN

New Product SiS452DN Vishay Siliconix N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.00325 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 35 12 13.5 nC 100 % Rg Tested 0.0048 at VGS = 4.5 V 35 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 12

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SIS452DN

SiS456DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0051 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET 30 18.5 nC 0.0068 at VGS = 4.5 V 35 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S APPLICATI

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SIS452DN

SiS454DN Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0037 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET 20 18.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0054 at VGS = 4.5 V 35 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 1212-8 APPLICATIONS DC/DC Con

Otros transistores... SIS434DN, SIS435DNT, SIS436DN, SIS438DN, SIS439DNT, SIS443DN, SIS444DN, SIS447DN, STF13NM60N, SIS454DN, SIS456DN, SIS468DN, SIS472ADN, SIS472DN, SIS476DN, SIS478DN, SIS496EDNT