SIS452DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIS452DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 970 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00325 Ohm
Paquete / Cubierta: 1212-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIS452DN
SIS452DN Datasheet (PDF)
sis452dn.pdf
New ProductSiS452DNVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.00325 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET3512 13.5 nC 100 % Rg Tested0.0048 at VGS = 4.5 V 35 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 12
sis456dn.pdf
SiS456DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0051 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET30 18.5 nC0.0068 at VGS = 4.5 V 35 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS APPLICATI
sis454dn.pdf
SiS454DNVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0037 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET20 18.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0054 at VGS = 4.5 V 35 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212-8APPLICATIONS DC/DC Con
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History: NCE16P07J | JCS3N80F
Liste
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