SIS454DN Todos los transistores

 

SIS454DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIS454DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8
 

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SIS454DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:544K  vishay
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SIS454DN

SiS454DNVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0037 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET20 18.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0054 at VGS = 4.5 V 35 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212-8APPLICATIONS DC/DC Con

 9.1. Size:551K  vishay
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SIS454DN

SiS456DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0051 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET30 18.5 nC0.0068 at VGS = 4.5 V 35 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS APPLICATI

 9.2. Size:563K  vishay
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SIS454DN

New ProductSiS452DNVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.00325 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET3512 13.5 nC 100 % Rg Tested0.0048 at VGS = 4.5 V 35 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 12

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History: SWD4N40DC | IRFR4104 | SIS472ADN | STB25NM50N-1 | WMO90R500S | NCE40H32LL | WPM3407

 

 
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