SIS496EDNT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIS496EDNT  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 322 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm

Encapsulados: 1212-8

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SIS496EDNT datasheet

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SIS496EDNT

SiS496EDNT Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS tested 0.0048 at VGS = 10 V 50 Thin 0.75 mm height 30 14 nC 0.0062 at VGS = 4.5 V 50 Typical ESD performance 2500 V Material categorization Thin PowerPAK 1212-8 For definitions of compl

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