SIS496EDNT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIS496EDNT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 322 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
Paquete / Cubierta: 1212-8
Búsqueda de reemplazo de SIS496EDNT MOSFET
SIS496EDNT Datasheet (PDF)
sis496ednt.pdf
SiS496EDNTVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS tested0.0048 at VGS = 10 V 50 Thin 0.75 mm height30 14 nC0.0062 at VGS = 4.5 V 50 Typical ESD performance 2500 V Material categorization:Thin PowerPAK 1212-8For definitions of compl
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History: SIHLZ24
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