SIS496EDNT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIS496EDNT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 322 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIS496EDNT

SIS496EDNT Datasheet (PDF)

..1. Size:160K vishay
sis496ednt.pdf

SiS496EDNTVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS tested0.0048 at VGS = 10 V 50 Thin 0.75 mm height30 14 nC0.0062 at VGS = 4.5 V 50 Typical ESD performance 2500 V Material categorization:Thin PowerPAK 1212-8For definitions of compl

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: