SIS782DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIS782DN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 251 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: 1212-8

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SIS782DN datasheet

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SIS782DN

SiS782DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)e Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET Power MOSFET 0.0095 at VGS = 10 V 16 30 9.5 nC and Schottky Diode 0.0120 at VGS = 4.5 V 16 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Sm

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SIS782DN

New Product SiS780DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 0.0135 at VGS = 10 V 18a 30 7.3 nC Power MOSFET and Schottky Diode 0.0175 at VGS = 4.5 V 18a 100 % Rg and UIS Tested

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