Справочник MOSFET. SIS782DN

 

SIS782DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS782DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 251 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS782DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:565K  vishay
 sis782dn.pdf pdf_icon

SIS782DN

SiS782DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)e Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET Power MOSFET0.0095 at VGS = 10 V 1630 9.5 nCand Schottky Diode0.0120 at VGS = 4.5 V 16 Low Thermal Resistance PowerPAK Packagewith Sm

 9.1. Size:575K  vishay
 sis780dn.pdf pdf_icon

SIS782DN

New ProductSiS780DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 0.0135 at VGS = 10 V 18a30 7.3 nCPower MOSFET and Schottky Diode0.0175 at VGS = 4.5 V 18a 100 % Rg and UIS Tested

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.