SIS890DN Todos los transistores

 

SIS890DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIS890DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 291 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0235 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8
 

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SIS890DN Datasheet (PDF)

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SIS890DN

SiS890DNVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0235 at VGS = 10 V 30g Capable of Operating with 5 V Gate Drive100 0.0245 at VGS = 7.5 V 30g 9.5 nC Material categorization:For definitions of compliance please see0.0315 at VGS = 4.5

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SIS890DN

SiS892ADNVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.033 at VGS = 10 V 28 Capable of Operating with 5 V Gate Drive100 0.036 at VGS = 7.5 V 26.8 6.1 nC Material categorization: For definitions of0.047 at VGS = 4.5 V 23.5compliance pleas

 9.2. Size:560K  vishay
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SiS892DNVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.)Definition 0.029 at VGS = 10 V 30g TrenchFET Power MOSFET100 6.7 nC0.042 at VGS = 4.5 V 25 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATION

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