SIS890DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIS890DN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 291 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0235 Ohm

Encapsulados: 1212-8

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SIS890DN datasheet

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SIS890DN

SiS890DN Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0235 at VGS = 10 V 30g Capable of Operating with 5 V Gate Drive 100 0.0245 at VGS = 7.5 V 30g 9.5 nC Material categorization For definitions of compliance please see 0.0315 at VGS = 4.5

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SIS890DN

SiS892ADN Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.033 at VGS = 10 V 28 Capable of Operating with 5 V Gate Drive 100 0.036 at VGS = 7.5 V 26.8 6.1 nC Material categorization For definitions of 0.047 at VGS = 4.5 V 23.5 compliance pleas

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SIS890DN

SiS892DN Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)f Qg (Typ.) Definition 0.029 at VGS = 10 V 30g TrenchFET Power MOSFET 100 6.7 nC 0.042 at VGS = 4.5 V 25 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATION

Otros transistores... SIS612EDNT, SIS698DN, SIS778DN, SIS780DN, SIS782DN, SIS822DNT, SIS862DN, SIS888DN, AON7403, SIS892ADN, SIS892DN, SIS902DN, SIS990DN, SISA04DN, SISA10DN, SISA12ADN, SISA12DN