SIZ704DT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIZ704DT  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: POWERPAIR6X3.7

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SIZ704DT datasheet

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SIZ704DT

New Product SiZ704DT Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0240 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFETs 12a Channel-1 30 3.8 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0300 at VGS = 4.5 V 12a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0135 at VGS = 1

 9.1. Size:127K  vishay
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SIZ704DT

New Product SiZ700DT Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0086 at VGS = 10 V 16a TrenchFET Power MOSFETs Channel-1 20 9.5 nC 100 % Rg Tested 0.0108 at VGS = 4.5 V 16a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0058 at VGS = 10 V

 9.2. Size:197K  vishay
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SIZ704DT

New Product SiZ702DT Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFETs Channel-1 0.0120 at VGS = 10 V 16a 100 % Rg and UIS Tested and 30 6.8 nC 0.0145 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 16a Channel-2

Otros transistores... SISA18DN, SISS23DN, SISS40DN, SIX3439K, SIZ300DT, SIZ340DT, SIZ342DT, SIZ702DT, IRFP460, SIZ710DT, 2SK1871, 2SK2153, 2SK2164, 2SK2317, 2SK2318, 2SK2321, 2SK2403