Справочник MOSFET. SIZ704DT

 

SIZ704DT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SIZ704DT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.7 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 8 nC

Время нарастания (tr): 12 ns

Выходная емкость (Cd): 95 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm

Тип корпуса: PowerPAIR6X3.7

Аналог (замена) для SIZ704DT

 

 

SIZ704DT Datasheet (PDF)

1.1. siz704dt.pdf Size:203K _update-mosfet

SIZ704DT SIZ704DT

New Product SiZ704DT Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0240 at VGS = 10 V • TrenchFET® Power MOSFETs 12a Channel-1 30 3.8 nC • 100 % Rg and UIS Tested 0.0300 at VGS = 4.5 V 12a • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0135 at VGS = 1

1.2. siz704dt.pdf Size:155K _vishay

SIZ704DT SIZ704DT

 5.1. siz702dt.pdf Size:197K _update-mosfet

SIZ704DT SIZ704DT

New Product SiZ702DT Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) Definition • TrenchFET® Power MOSFETs Channel-1 0.0120 at VGS = 10 V 16a • 100 % Rg and UIS Tested and 30 6.8 nC 0.0145 at VGS = 4.5 V • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 16a Channel-2

5.2. siz700dt.pdf Size:127K _vishay

SIZ704DT SIZ704DT

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top