2SK2432 Todos los transistores

 

2SK2432 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2432
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: ZP
 

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2SK2432 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  no
 2sk1871 2sk2153 2sk2164 2sk2321 2sk2432 2sk2435 2sk2436 2sk2438 2sk2439 2sk2626 2sk2634 2sk2635 2sk2636 2sk2637 2sk2773.pdf pdf_icon

2SK2432

 8.1. Size:42K  sanyo
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2SK2432

Ordering number : EN86062SK2434SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device2SK2434ApplicationsFeatures Low ON-resistance. High-speed switching. 10V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 450 VGate-to-Source Voltage VGSS 30 V

 8.2. Size:53K  sanyo
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2SK2432

2SK2433 No. N8353N MOS 2SK2433 , Absolute Maximum Ratings / Ta=25 uni

 8.3. Size:28K  hitachi
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2SK2432

2SK2431Silicon N-Channel MOS FETApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current No Secondary Breakdown Suitable for Switching regulator, DC-DC converter.OutlineTO-220CFM1D231. GateG2. Drain3. SourceS2SK2431Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to so

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History: WNM2023 | NTZD3155CT1G

 

 
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