Справочник MOSFET. 2SK2432

 

2SK2432 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK2432
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: ZP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2432 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:42K  sanyo
2sk2434.pdfpdf_icon

2SK2432

Ordering number : EN86062SK2434SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device2SK2434ApplicationsFeatures Low ON-resistance. High-speed switching. 10V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 450 VGate-to-Source Voltage VGSS 30 V

 8.2. Size:53K  sanyo
2sk2433.pdfpdf_icon

2SK2432

2SK2433 No. N8353N MOS 2SK2433 , Absolute Maximum Ratings / Ta=25 uni

 8.3. Size:28K  hitachi
2sk2431.pdfpdf_icon

2SK2432

2SK2431Silicon N-Channel MOS FETApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current No Secondary Breakdown Suitable for Switching regulator, DC-DC converter.OutlineTO-220CFM1D231. GateG2. Drain3. SourceS2SK2431Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitDrain to so

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NVMFS5C404N | 2N7000RLRMG | IAUC100N10S5N040 | STU601S | RHP020N06 | STU4N80K5 | RTQ020N05HZG

 

 
Back to Top

 


 
.