RFG30P05 Todos los transistores

 

RFG30P05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFG30P05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

RFG30P05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:365K  fairchild semi
 rfg30p05 rfp30p05 rf1s30p05sm.pdf pdf_icon

RFG30P05

RFG30P05, RFP30P05, RF1S30P05SMData Sheet January 200230A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 30A, 50VThese are P-Channel power MOSFETs manufactured rDS(ON) = 0.065using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Modelfeature sizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resultin

 7.1. Size:386K  fairchild semi
 rfg30p06 rfp30p06 rf1s30p06sm.pdf pdf_icon

RFG30P05

RFG30P06, RFP30P06, RF1S30P06SMData Sheet January 200230A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 30A, 60VThese are P-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.065the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensating PSPICE Modelsizes approaching those of LSI circuits, gives optimum utilization of silicon, resultin

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History: HM12N20D | NCE65TF099F | HUFA76423S3ST | P06P03LDG

 

 
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