FW201 Todos los transistores

 

FW201 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FW201

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOP8

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FW201 datasheet

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FW201

FW 201 N- Channel Silicon MOS FET Very High-Speed Switching Applications TENTATIVE Features and Applications High density mounting is possible because of the complex type which holds two chips of a low on-resistance, Very-high speed switching and 2.5-volt-drive, N channel MOSFET in one package. The two chips have near characteristics Absoulute Maximum Ratings / Ta=25 C uni

Otros transistores... 2SK2634 , 2SK2635 , 2SK2636 , 2SK2637 , 2SK2773 , DG10N60 , DG10N60-TO220F , FS1KM-18A , K4145 , FW202 , FW203 , FW206 , GP28S50XN220 , GP28S50XN220FP , GP28S50XN3P , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 .

 

 

 


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