FW201 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FW201
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 200 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FW201 Datasheet (PDF)
fw201.pdf

FW 201N- Channel Silicon MOS FETVery High-Speed Switching ApplicationsTENTATIVEFeatures and Applications High density mounting is possible because of the complex type which holds two chips of a low on-resistance,Very-high speed switching and 2.5-volt-drive, N channel MOSFET in one package. The two chips have near characteristics Absoulute Maximum Ratings / Ta=25Cuni
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: NP36P06SLG | APTM100DA18CT1G | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | IXTN170P10P
History: NP36P06SLG | APTM100DA18CT1G | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | IXTN170P10P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor