FW201. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FW201
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для FW201
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FW201 даташит
fw201.pdf
FW 201 N- Channel Silicon MOS FET Very High-Speed Switching Applications TENTATIVE Features and Applications High density mounting is possible because of the complex type which holds two chips of a low on-resistance, Very-high speed switching and 2.5-volt-drive, N channel MOSFET in one package. The two chips have near characteristics Absoulute Maximum Ratings / Ta=25 C uni
Другие MOSFET... 2SK2634 , 2SK2635 , 2SK2636 , 2SK2637 , 2SK2773 , DG10N60 , DG10N60-TO220F , FS1KM-18A , K4145 , FW202 , FW203 , FW206 , GP28S50XN220 , GP28S50XN220FP , GP28S50XN3P , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 .
History: FDB0300N1007L | 2SJ374 | ME8205E-G
History: FDB0300N1007L | 2SJ374 | ME8205E-G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor

