GP28S50XN220FP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP28S50XN220FP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 104.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1766.7 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Encapsulados: TO220FP
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GP28S50XN220FP datasheet
gp28s50.pdf
GP28S50 POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION FEATURES This high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specified without degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a advanced MOSFET is designed to wi
Otros transistores... DG10N60 , DG10N60-TO220F , FS1KM-18A , FW201 , FW202 , FW203 , FW206 , GP28S50XN220 , IRF1010E , GP28S50XN3P , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 , GP28S50GN220FP , GP28S50GN3P , GP28S50GN247 , IPA70R360P7S , IPSA70R360P7S .
History: BSC150N03LD | HM1404D
History: BSC150N03LD | HM1404D
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