Справочник MOSFET. GP28S50XN220FP

 

GP28S50XN220FP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP28S50XN220FP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 104.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1766.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GP28S50XN220FP Datasheet (PDF)

 7.1. Size:495K  champion
 gp28s50.pdf pdf_icon

GP28S50XN220FP

GP28S50POWER FIELD EFFECT TRANSISTORGENERAL DESCRIPTION FEATURESThis high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Terminationscheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specifiedwithout degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to aadvanced MOSFET is designed to wi

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: ME4435-G | P1603BEBA | AMA410N | ME2302-G | IRF3707SPBF | APT6017B2FLLG | DMS3016SSS

 

 
Back to Top

 


 
.