RFG40N10 Todos los transistores

 

RFG40N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFG40N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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RFG40N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  fairchild semi
 rfg40n10 rfp40n10 rf1s40n10-sm.pdf pdf_icon

RFG40N10

RFG40N10, RFP40N10, RF1S40N10,RF1S40N10SMData Sheet January 200240A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 40A, 100VThese are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.040the MegaFET process. This process, which uses feature UIS Rating Curvesizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulti

 0.1. Size:410K  intersil
 rfg40n10le rfp40n10le rf1s40n10lesm.pdf pdf_icon

RFG40N10

RFG40N10LE, RFP40N10LE, RF1S40N10LESMData Sheet October 1999 File Number 4061.540A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level FeaturesN-Channel Power MOSFETs 40A, 100VThese N-Channel enhancement mode power MOSFETs are rDS(ON) = 0.040manufactured using the latest manufacturing process Temperature Compensating PSPICE Modeltechnology. This process, which uses feature sizesappr

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History: SM4012T9RL | IXTH88N15 | TJ8S06M3L | PMPB10XNEA | SM3307PSQG | AP4024EH | SSM3K315T

 

 
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