Справочник MOSFET. RFG40N10

 

RFG40N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFG40N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RFG40N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  fairchild semi
 rfg40n10 rfp40n10 rf1s40n10-sm.pdf pdf_icon

RFG40N10

RFG40N10, RFP40N10, RF1S40N10,RF1S40N10SMData Sheet January 200240A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 40A, 100VThese are N-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.040the MegaFET process. This process, which uses feature UIS Rating Curvesizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulti

 0.1. Size:410K  intersil
 rfg40n10le rfp40n10le rf1s40n10lesm.pdf pdf_icon

RFG40N10

RFG40N10LE, RFP40N10LE, RF1S40N10LESMData Sheet October 1999 File Number 4061.540A, 100V, 0.040 Ohm, Logic Level FeaturesN-Channel Power MOSFETs 40A, 100VThese N-Channel enhancement mode power MOSFETs are rDS(ON) = 0.040manufactured using the latest manufacturing process Temperature Compensating PSPICE Modeltechnology. This process, which uses feature sizesappr

Другие MOSFET... RFD8P06E , RFD8P06ESM , RFD8P06LE , RFD8P06LESM , RFF60P06 , RFF70N06 , RFG30P05 , RFG30P06 , IRFP250N , RFG40N10LE , RFG45N06 , RFG45N06LE , RFG50N05L , RFG50N06 , RFG50N06LE , RFG60P03 , RFG60P05E .

History: SWN5N70K | IRF3805PBF | STP5NB40 | P0903YK | AP95T10AGI-HF | IRF7303Q | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.