GP28S50GN220FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP28S50GN220FP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 104.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1766.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FP
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GP28S50GN220FP
GP28S50GN220FP Datasheet (PDF)
gp28s50.pdf
GP28S50POWER FIELD EFFECT TRANSISTORGENERAL DESCRIPTION FEATURESThis high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Terminationscheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specifiedwithout degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to aadvanced MOSFET is designed to wi
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History: 14N50
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