SIZ902DT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIZ902DT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Encapsulados: POWERPAIR6X5
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SIZ902DT datasheet
siz902dt.pdf
New Product SiZ902DT Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs 0.0120 at VGS = 10 V 16a 100 % Rg and UIS Tested Channel-1 30 6.8 nC 0.0145 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 16a APPL
siz900dt.pdf
New Product SiZ900DT Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs 0.0072 at VGS = 10 V 24a 100 % Rg and UIS Tested Channel-1 30 13.5 nC 0.0092 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 24a APPLICATIO
siz904dt.pdf
New Product SiZ904DT Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.024 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFETs 12a Channel-1 30 3.8 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.030 at VGS = 4.5 V 12a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0135 at
Otros transistores... IRF50N06 , TK80E08K3 , TK150E09NE , TSA9N90M , SIZ728DT , SIZ730DT , SIZ790DT , SIZ900DT , 5N60 , SIZ904DT , SIZ910DT , SIZ914DT , SIZ916DT , SIZ918DT , SIZ920DT , SK830321 , SK840303 .
History: FDN352AP
History: FDN352AP
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Liste
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