SIZ904DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIZ904DT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAIR6X5
Búsqueda de reemplazo de SIZ904DT MOSFET
SIZ904DT Datasheet (PDF)
siz904dt.pdf

New ProductSiZ904DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition0.024 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFETs12aChannel-1 30 3.8 nC 100 % Rg and UIS Tested0.030 at VGS = 4.5 V 12a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0135 at
siz900dt.pdf

New ProductSiZ900DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 DefinitionVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs0.0072 at VGS = 10 V 24a 100 % Rg and UIS TestedChannel-1 30 13.5 nC0.0092 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC24aAPPLICATIO
siz902dt.pdf

New ProductSiZ902DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 DefinitionVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs0.0120 at VGS = 10 V 16a 100 % Rg and UIS TestedChannel-1 30 6.8 nC0.0145 at VGS = 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC16aAPPL
Otros transistores... TK80E08K3 , TK150E09NE , TSA9N90M , SIZ728DT , SIZ730DT , SIZ790DT , SIZ900DT , SIZ902DT , SKD502T , SIZ910DT , SIZ914DT , SIZ916DT , SIZ918DT , SIZ920DT , SK830321 , SK840303 , SK840316 .
History: IRFR214A
History: IRFR214A



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