SK830321 Todos los transistores

 

SK830321 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SK830321

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: HSSO8-F3-B

 Búsqueda de reemplazo de SK830321 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SK830321 datasheet

 ..1. Size:346K  panasonic
sk830321.pdf pdf_icon

SK830321

Doc No. TT4-EA-14479 Revision. 2 Product Standards MOS FET SK830321KL SK830321KL Silicon N-channel MOS FET Unit mm 3.3 For Load-switching / For DC-DC Converter 3.1 0.17 8 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance RDS(on)typ = 24 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 1 2 3 4 0.3 0.85 Marking

Otros transistores... SIZ900DT , SIZ902DT , SIZ904DT , SIZ910DT , SIZ914DT , SIZ916DT , SIZ918DT , SIZ920DT , IRF2807 , SK840303 , SK840316 , SK840317 , SK840318 , SK840319 , SK840320 , SK860314 , SK860315 .

History: FCB260N65S3

 

 

 


History: FCB260N65S3

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA

 

 

 

Popular searches

ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor

 

 

↑ Back to Top
.