SK830321 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SK830321
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Encapsulados: HSSO8-F3-B
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SK830321 datasheet
sk830321.pdf
Doc No. TT4-EA-14479 Revision. 2 Product Standards MOS FET SK830321KL SK830321KL Silicon N-channel MOS FET Unit mm 3.3 For Load-switching / For DC-DC Converter 3.1 0.17 8 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance RDS(on)typ = 24 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 1 2 3 4 0.3 0.85 Marking
Otros transistores... SIZ900DT , SIZ902DT , SIZ904DT , SIZ910DT , SIZ914DT , SIZ916DT , SIZ918DT , SIZ920DT , IRF2807 , SK840303 , SK840316 , SK840317 , SK840318 , SK840319 , SK840320 , SK860314 , SK860315 .
History: FCB260N65S3
History: FCB260N65S3
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Liste
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