SK830321 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SK830321
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: HSSO8-F3-B
Búsqueda de reemplazo de SK830321 MOSFET
SK830321 Datasheet (PDF)
sk830321.pdf

Doc No. TT4-EA-14479Revision. 2Product StandardsMOS FETSK830321KLSK830321KLSilicon N-channel MOS FETUnit: mm 3.3For Load-switching / For DC-DC Converter3.1 0.178 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance:RDS(on)typ = 24 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)1 2 3 40.3 0.85 Marking
Otros transistores... SIZ900DT , SIZ902DT , SIZ904DT , SIZ910DT , SIZ914DT , SIZ916DT , SIZ918DT , SIZ920DT , IRFB31N20D , SK840303 , SK840316 , SK840317 , SK840318 , SK840319 , SK840320 , SK860314 , SK860315 .
History: SI2306DS-T1 | SSP65R1K2S2E | WMO15N25T2 | KIA20N50H-220F | SSZ120R080C
History: SI2306DS-T1 | SSP65R1K2S2E | WMO15N25T2 | KIA20N50H-220F | SSZ120R080C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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