SK830321 Todos los transistores

 

SK830321 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SK830321
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSSO8-F3-B
 

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SK830321 Datasheet (PDF)

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SK830321

Doc No. TT4-EA-14479Revision. 2Product StandardsMOS FETSK830321KLSK830321KLSilicon N-channel MOS FETUnit: mm 3.3For Load-switching / For DC-DC Converter3.1 0.178 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance:RDS(on)typ = 24 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)1 2 3 40.3 0.85 Marking

Otros transistores... SIZ900DT , SIZ902DT , SIZ904DT , SIZ910DT , SIZ914DT , SIZ916DT , SIZ918DT , SIZ920DT , IRFB31N20D , SK840303 , SK840316 , SK840317 , SK840318 , SK840319 , SK840320 , SK860314 , SK860315 .

History: 2SK989 | STB200N4F3 | AOD3T40P | IRF5806 | IPL65R650C6S | HY1506I | IPI65R280E6

 

 
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