SK830321 Todos los transistores

 

SK830321 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SK830321
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSSO8-F3-B
     - Selección de transistores por parámetros

 

SK830321 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  panasonic
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SK830321

Doc No. TT4-EA-14479Revision. 2Product StandardsMOS FETSK830321KLSK830321KLSilicon N-channel MOS FETUnit: mm 3.3For Load-switching / For DC-DC Converter3.1 0.178 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance:RDS(on)typ = 24 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)1 2 3 40.3 0.85 Marking

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AONS36316 | CSD17309Q3 | MRF5003 | IRFR120TR

 

 
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