Справочник MOSFET. SK830321

 

SK830321 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SK830321
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: HSSO8-F3-B
 

 Аналог (замена) для SK830321

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SK830321 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  panasonic
 sk830321.pdf pdf_icon

SK830321

Doc No. TT4-EA-14479Revision. 2Product StandardsMOS FETSK830321KLSK830321KLSilicon N-channel MOS FETUnit: mm 3.3For Load-switching / For DC-DC Converter3.1 0.178 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance:RDS(on)typ = 24 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)1 2 3 40.3 0.85 Marking

Другие MOSFET... SIZ900DT , SIZ902DT , SIZ904DT , SIZ910DT , SIZ914DT , SIZ916DT , SIZ918DT , SIZ920DT , IRFB31N20D , SK840303 , SK840316 , SK840317 , SK840318 , SK840319 , SK840320 , SK860314 , SK860315 .

History: MGSF1N03LT1G | 2SK767 | IPD640N06L | SFW9Z34TM | PSA04N65B | NCE4963 | WMO13N50C4

 

 
Back to Top

 


 
.