SK860330 Todos los transistores

 

SK860330 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SK860330
   Código: 30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSO8-F4-B

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SK860330 Datasheet (PDF)

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Doc No. TT4-EA-14538Revision. 2Product StandardsMOS FETSK8603300LSK8603300LSilicon N-channel MOSFETUnit : mm with Schottky Barrier Diode5.14.9 0.22For Load-switching / For DC-DC Converter8 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ = 1.6 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 complian

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Doc No. TT4-EA-14461Revision. 3Product StandardsMOS FETSK8603140LSK8603140LSilicon N-channel MOS FETUnit : mm 5.1For Load-switching / For DC-DC Converter4.9 0.228 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ = 1.8 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3 40.4 1.0 Ma

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Doc No. TT4-EA-14213Revision. 3Product StandardsMOS FETSK8603150LSK8603150LSilicon N-channel MOS FETUnit : mm 5.1For Load-switching / For DC-DC Converter4.9 0.228 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ = 2.5 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3 40.4 1.0 Ma

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Doc No. TT4-EA-14216Revision. 3Product StandardsMOS FETSK8603180LSK8603180LSilicon N-channel MOSFETUnit : mm 5.1For Load-switching / For DC-DC Converter4.9 0.228 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ = 6.7 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3 40.4 1.0 Mar

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Doc No. TT4-EA-14462Revision. 3Product StandardsMOS FETSK8603160LSK8603160LSilicon N-channel MOS FETUnit : mm 5.1For Load-switching / For DC-DC Converter4.9 0.228 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ = 3.3 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3 40.4 1.0 Ma

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Doc No. TT4-EA-14211Revision. 4Product StandardsMOS FETSK8603190LSK8603190LSilicon N-channel MOS FETUnit : mm 5.1For Load-switching / For DC-DC Converter4.9 0.228 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ = 10 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3 40.4 1.0 Mar

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Doc No. TT4-EA-14480Revision. 2Product StandardsMOS FETSK8603170LSK8603170LSilicon N-channel MOS FETUnit : mm 5.1For Load-switching / For DC-DC Converter4.9 0.228 7 6 5 Features Low Drain-source On-state Resistance : RDS(on)typ = 3.9 m (VGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3 40.4 1.0 Mar

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