SKI04033 Todos los transistores

 

SKI04033 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKI04033
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 116 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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SKI04033 datasheet

 ..1. Size:235K  sanken-ele
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SKI04033

40 V, 80 A, 3.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI04033 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 80 A (4) D RDS(ON) ---------- 3.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 58.5 A) Qg ------26.4 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 58.5 A) Low Total Gate

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
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SKI04033

isc N-Channel MOSFET Transistor SKI04033 FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.9m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 8.1. Size:235K  sanken-ele
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SKI04033

40 V, 80 A, 4.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI04044 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 80 A (4) D RDS(ON) ---------- 5.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 42.8 A) Qg ------16.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 42.8 A) Low Total Gate

 8.2. Size:235K  sanken-ele
 ski04024.pdf pdf_icon

SKI04033

40 V, 85 A, 2.6 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI04024 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 85 A (4) D RDS(ON) ---------- 3.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 82.5 A) Qg ------44.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 82.5 A) Low Total Gate

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