SKI04033 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SKI04033 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 116 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
Тип корпуса: TO-263
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SKI04033
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SKI04033 даташит
ski04033.pdf
40 V, 80 A, 3.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI04033 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 80 A (4) D RDS(ON) ---------- 3.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 58.5 A) Qg ------26.4 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 58.5 A) Low Total Gate
ski04033.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor SKI04033 FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.9m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo
ski04044.pdf
40 V, 80 A, 4.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI04044 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 80 A (4) D RDS(ON) ---------- 5.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 42.8 A) Qg ------16.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 42.8 A) Low Total Gate
ski04024.pdf
40 V, 85 A, 2.6 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI04024 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 85 A (4) D RDS(ON) ---------- 3.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 82.5 A) Qg ------44.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 82.5 A) Low Total Gate
Другие IGBT... SK860319, SK860330, SKH06100, SKI03021, SKI03036, SKI03063, SKI03087, SKI04024, AO4407, SKI04044, SKI06048, SKI06073, SKI06106, SKI07074, SKI07114, SKI07171, SKI10123
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46 | MSH60N35D | MSH40N032 | MSH30P100 | MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023
Popular searches
bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058



