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SKI04044 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKI04044

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 90 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 35 nC

Tiempo de elevación (tr): 5.6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 395 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0052 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SKI04044

 

SKI04044 Datasheet (PDF)

1.1. ski04044.pdf Size:235K _update-mosfet

SKI04044
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40 V, 80 A, 4.1 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI04044 Features Package TO-263  V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 µA)  ID ---------------------------------------------------------- 80 A (4) D  RDS(ON) ---------- 5.2 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 42.8 A)  Qg ------16.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 42.8 A)  Low Total Gate

4.1. ski04033.pdf Size:235K _update-mosfet

SKI04044
SKI04044

40 V, 80 A, 3.1 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI04033 Features Package TO-263  V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 µA)  ID ---------------------------------------------------------- 80 A (4) D  RDS(ON) ---------- 3.9 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 58.5 A)  Qg ------26.4 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 58.5 A)  Low Total Gate

4.2. ski04024.pdf Size:235K _update-mosfet

SKI04044
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40 V, 85 A, 2.6 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI04024 Features Package TO-263  V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 µA)  ID ---------------------------------------------------------- 85 A (4) D  RDS(ON) ---------- 3.2 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 82.5 A)  Qg ------44.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 82.5 A)  Low Total Gate

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