SKI07074 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKI07074
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 575 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0069 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SKI07074
Principales características: SKI07074
ski07074.pdf
75 V, 85 A, 5.3 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI07074 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 85 A (4) D RDS(ON) ---------- 6.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 44.0 A) Qg ------42.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 44.0 A) Low Total Gate
ski07074.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor SKI07074 FEATURES Drain Current I = 85A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 75V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6.9m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo
ski07171.pdf
75 V, 46 A, 10.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI07171 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 46 A (4) D RDS(ON) -------- 14.1 m max. (VGS = 10 V, ID = 22.8 A) Qg ------15.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 22.8 A) Low Total Gate
ski07114.pdf
75 V, 62 A, 7.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI07114 Features Package TO-263 V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 A) ID ---------------------------------------------------------- 62 A (4) D RDS(ON) ---------- 9.7 m max. (VGS = 10 V, ID = 31.2 A) Qg ------ 25.0nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 31.2 A) Low Total Gate
Otros transistores... SKI03063 , SKI03087 , SKI04024 , SKI04033 , SKI04044 , SKI06048 , SKI06073 , SKI06106 , 60N06 , SKI07114 , SKI07171 , SKI10123 , SKI10195 , SKI10297 , SW1N55D , AON7430L , AP9915H .
History: SSF8N65 | OSG55R190DF | ME4953 | UPA2701GR | AP2302AI
History: SSF8N65 | OSG55R190DF | ME4953 | UPA2701GR | AP2302AI
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
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