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SKI07114 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKI07114

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 116 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 75 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 62 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 54 nC

Tiempo de elevación (tr): 6.4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0097 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SKI07114

 

SKI07114 Datasheet (PDF)

1.1. ski07114.pdf Size:235K _update-mosfet

SKI07114
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75 V, 62 A, 7.2 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI07114 Features Package TO-263  V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 µA)  ID ---------------------------------------------------------- 62 A (4) D  RDS(ON) ---------- 9.7 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 31.2 A)  Qg ------ 25.0nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 31.2 A)  Low Total Gate

4.1. ski07171.pdf Size:235K _update-mosfet

SKI07114
SKI07114

75 V, 46 A, 10.4 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI07171 Features Package TO-263  V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 µA)  ID ---------------------------------------------------------- 46 A (4) D  RDS(ON) -------- 14.1 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 22.8 A)  Qg ------15.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 22.8 A)  Low Total Gate

 5.1. ski07074.pdf Size:235K _update-mosfet

SKI07114
SKI07114

75 V, 85 A, 5.3 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI07074 Features Package TO-263  V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 µA)  ID ---------------------------------------------------------- 85 A (4) D  RDS(ON) ---------- 6.9 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 44.0 A)  Qg ------42.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 44.0 A)  Low Total Gate

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