SKI10195 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKI10195

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 116 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 47 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 57.7 nC

Tiempo de elevación (tr): 6.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0184 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SKI10195

SKI10195 Datasheet (PDF)

1.1. ski10195.pdf Size:235K _update-mosfet

100 V, 47 A, 13.2 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI10195 Features Package TO-263  V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 µA)  ID ---------------------------------------------------------- 47 A (4) D  RDS(ON) -------- 18.4 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 23.4 A)  Qg ------27.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 23.4 A)  Low Total Gat

4.1. ski10123.pdf Size:235K _update-mosfet

100 V, 66 A, 8.8 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI10123 Features Package TO-263  V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 µA)  ID ---------------------------------------------------------- 66 A (4) D  RDS(ON) -------- 12.1 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 33.0 A)  Qg ------45.2 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 33.0 A)  Low Total Gate

5.1. ski10297.pdf Size:235K _update-mosfet

100 V, 34 A, 20.2 mΩ Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET SKI10297 Features Package TO-263  V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 µA)  ID ---------------------------------------------------------- 34 A (4) D  RDS(ON) -------- 28.8 mΩ max. (VGS = 10 V, ID = 17.1 A)  Qg ------16.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 17.1 A)  Low Total Gat

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Liste

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