ITA08N65R Todos los transistores

 

ITA08N65R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ITA08N65R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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ITA08N65R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1275K  inpower semi
 ita08n65r.pdf pdf_icon

ITA08N65R

ITA08N65R N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications: Adaptor VDSS RDS(ON)(Typ.) ID Charger SMPS 650V 0.86 8A Features: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAND ITA08N65R TO-220F IPS Absolute M

Otros transistores... AON7430L , AP9915H , AP9915J , FHP730 , FIR120N055PG , FTP16N06B , HY4008W , HY4008A , IRF1404 , ME15N10G , MMF80R650P , NCE65T130D , NCE65T130 , NCE65T130F , NCEP60T12A , NTMFS4955N , SE6880 .

History: RFD14N05L | ST2301A | UPA2702GR | AP15N10 | SFB077N100AC2 | VP0300M | ME2312

 

 
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