ITA08N65R Todos los transistores

 

ITA08N65R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ITA08N65R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO220F

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ITA08N65R datasheet

 ..1. Size:1275K  inpower semi
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ITA08N65R

ITA08N65R N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications Adaptor VDSS RDS(ON)(Typ.) ID Charger SMPS 650V 0.86 8A Features RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAND ITA08N65R TO-220F IPS Absolute M

Otros transistores... AON7430L , AP9915H , AP9915J , FHP730 , FIR120N055PG , FTP16N06B , HY4008W , HY4008A , IRF1404 , ME15N10G , MMF80R650P , NCE65T130D , NCE65T130 , NCE65T130F , NCEP60T12A , NTMFS4955N , SE6880 .

History: 2SK1201 | NTD4904N | AUIRF7343Q | AGM612MNA | FX20VSJ-3 | AOD2904 | FHU5N60A

 

 

 

 

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