SW226NV Todos los transistores

 

SW226NV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SW226NV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO-251 TO-252

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SW226NV datasheet

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SW226NV

SW226NV SW226NV SAMWIN N-channel MOSFET BVDSS 600V IPAK DPAK Features ID 4.0A High ruggedness RDS(ON) 2.5ohm RDS(ON) (Max 2.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 34nC) 2 1 Improved dv/dt Capability 2 2 1 3 3 100% Avalanche Tested 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description 3 This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAM

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SW226NV

SW226N SAMWIN N-channel MOSFET TO-251 TO-252 BVDSS 600V Features ID 4.0A High ruggedness RDS(ON) 2.3ohm RDS(ON) (Max 2.3 )@VGS=10V 1 2 Gate Charge (Typical 30nC) 1 2 3 Improved dv/dt Capability 3 2 100% Avalanche Tested 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description 3 This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.

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History: STD3N40K3 | FX20VSJ-3 | AGM612MNA | NTD4904N | FHU5N60A | AOD2904 | AUIRF7343Q

 

 

 

 

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