SW226NV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SW226NV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SW226NV

SW226NV Datasheet (PDF)

..1. Size:833K samwin
sw226nv.pdf

SW226NVSW226NVSAMWINN-channel MOSFETBVDSS : 600VIPAKDPAKFeaturesID : 4.0A High ruggednessRDS(ON) : 2.5ohm RDS(ON) (Max 2.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 34nC)21 Improved dv/dt Capability 22 13 3 100% Avalanche Tested1. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAM

8.1. Size:479K samwin
sw226n.pdf

SW226NSAMWINN-channel MOSFETTO-251 TO-252BVDSS : 600VFeaturesID : 4.0A High ruggednessRDS(ON) : 2.3ohm RDS(ON) (Max 2.3 )@VGS=10V1 2 Gate Charge (Typical 30nC)123 Improved dv/dt Capability 32 100% Avalanche Tested1. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: