SW4N70K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SW4N70K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SW4N70K

SW4N70K Datasheet (PDF)

..1. Size:556K samwin
sw4n70k.pdf

SAMWIN SW4N70K N-channel TO-251,TO-252 MOSFET TO-251 TO-252 Features BVDSS : 700V ID : 4A High ruggedness RDS(ON) (Max1.3)@VGS=10V RDS(ON) :1.3 Gate Charge (Typical 13nC) 1 Improved dv/dt Capability 1 2 2 3 3 100% Avalanche Tested 2 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description 3 This power MOSFET is produced with advanced

8.1. Size:1038K samwin
sw4n70d swi4n70d swn4n70d swd4n70d swf4n70d.pdf

SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3)@VGS=10V RDS(ON) : 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application:Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

8.2. Size:741K samwin
sw4n70b.pdf

SAMWIN SW4N70B N-channel TO-220F /I-PAK MOSFET BVDSS : 700V Features TO-220F TO-251 ID : 4.0A High ruggedness RDS(ON) : 2.8 RDS(ON) (Max 2.8 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 12nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Description This power MOSFET is produced with advanced

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History: SWT20N65D

Liste

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