STQ1NC45 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STQ1NC45
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de STQ1NC45 MOSFET
STQ1NC45 Datasheet (PDF)
stq1nc45.pdf
STD2NC45-1STQ1NC45N-CHANNEL 450V - 4.1 - 1.5 A IPAK / TO-92SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD2NC45-1 450 V
stq1nc60r.pdf
STQ1NC60RN-CHANNEL 600V - 12 - 0.3ATO-92PowerMESHII Power MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTQ1NC60R 600 V
stq1nk60zr-ap.pdf
STN1NK60ZSTQ1NK60ZR-APN-channel 600 V, 13 , 0.8 A TO-92, SOT-223Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) ID PwSTQ1NK60ZR-AP 3 W600 V
stq1ne10l.pdf
STQ1NE10LN-CHANNEL 100V - 0.3 - 1A TO-92STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTQ1NE10L 100 V
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History: NTMFS4C250N | TPC8118 | AP6926GMT | DMN2004VK | NTMFS4C59N | NCEP0160A
History: NTMFS4C250N | TPC8118 | AP6926GMT | DMN2004VK | NTMFS4C59N | NCEP0160A
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
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