STQ1NC45 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STQ1NC45

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm

Encapsulados: TO92

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STQ1NC45 datasheet

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STQ1NC45

STD2NC45-1 STQ1NC45 N-CHANNEL 450V - 4.1 - 1.5 A IPAK / TO-92 SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD2NC45-1 450 V

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STQ1NC45

STQ1NC60R N-CHANNEL 600V - 12 - 0.3ATO-92 PowerMESH II Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STQ1NC60R 600 V

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STQ1NC45

STN1NK60Z STQ1NK60ZR-AP N-channel 600 V, 13 , 0.8 A TO-92, SOT-223 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features Order codes VDSS RDS(on) ID Pw STQ1NK60ZR-AP 3 W 600 V

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STQ1NC45

STQ1NE10L N-CHANNEL 100V - 0.3 - 1A TO-92 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STQ1NE10L 100 V

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