Справочник MOSFET. STQ1NC45

 

STQ1NC45 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STQ1NC45
   Маркировка: Q1NC45
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STQ1NC45 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  st
stq1nc45.pdfpdf_icon

STQ1NC45

STD2NC45-1STQ1NC45N-CHANNEL 450V - 4.1 - 1.5 A IPAK / TO-92SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD2NC45-1 450 V

 8.1. Size:426K  st
stq1nc60r.pdfpdf_icon

STQ1NC45

STQ1NC60RN-CHANNEL 600V - 12 - 0.3ATO-92PowerMESHII Power MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTQ1NC60R 600 V

 9.1. Size:709K  st
stq1nk60zr-ap.pdfpdf_icon

STQ1NC45

STN1NK60ZSTQ1NK60ZR-APN-channel 600 V, 13 , 0.8 A TO-92, SOT-223Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesOrder codes VDSS RDS(on) ID PwSTQ1NK60ZR-AP 3 W600 V

 9.2. Size:311K  st
stq1ne10l.pdfpdf_icon

STQ1NC45

STQ1NE10LN-CHANNEL 100V - 0.3 - 1A TO-92STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTQ1NE10L 100 V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.