OSG55R190PF Todos los transistores

 

OSG55R190PF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG55R190PF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 104 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 550 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.7 V

Carga de compuerta (Qg): 17.7 nC

Tiempo de elevación (tr): 6.7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 125.9 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.19 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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OSG55R190PF Datasheet (PDF)

1.1. osg55r190af osg55r190df osg55r190ff osg55r190pf.pdf Size:1119K _update-mosfet

OSG55R190PF
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OSG55R190xF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications  Low R & FOM  Lighting DS(on)  Extremely low switching loss  Hard switching PWM  Excellent stability and uniformity  Server power supply  Easy to drive  Charger OSG55R190AF, OSG55R190DF, OSG55R190FF, OSG55R190PF , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET  Genera

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